Полупроводник p-типа, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.
Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами. Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, например, таких как кремний и германий, акцепторами могут быть примеси химических элементов группы III периодической таблицы элементов Д.
Полупроводник данного вида называют полупроводником р–типа. Преобладающие носители заряда в полупроводнике называются основными. Так в полупроводнике n–типа основными носителями являются электроны, а неосновными – дырки, а в полупроводнике р–типа основными носителями являются дырки, а неосновными – электроны.
1.1.2. Полупроводники n — p типа ... Чистые i - полупроводники практически не используют. В них специально вводят атомы других элементов (примеси) трехвалентных ( ...
Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами. Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, ...
Полупроводники p типа ... В полупроводнике, который содержит акцепторную примесь, электроны довольно легко переходят из валентной зоны на ...
Насколько я понял полупроводники p-типа образуются за счет того, что в их структуру добавляется атом/атомы с меньшей валентностью.
Акцепторы – трехвалентные элементы, такие как B, Al, In, Ga (акцептор – принимающий, берущий). Концентрацию акцепторов будем обозначать Na. На основании этого ...
Как упоминалось ранее электропроводность полупроводников сильно зависит от концентрации примесей.
В полупроводнике электронной проводимости (n -типа) основными носителями заряда являются электроны, а полупроводнике дырочной проводимости (p -типа) – дырки ...
Полупроводники n-типа,p-типа. Полупроводники – это вещества, электронная проводимость которых резко изменяется по величине и по характеру (p,h) в ...
В случае двухэлементного полупроводника, такого как арсенид галлия GaAs или нитрид галлия GaN, легирующими материалами для получения полупроводника n-типа ...