P-N переход — точка в полупроводниковом приборе, где материал N-типа и материал
Благодаря этому p-n - переход может использоваться для выпрямления переменных токов ( диод ). Чтобы вывести зависимость величины тока через p-n - переход от внешнего смещающего напряжения V, мы должны рассмотреть отдельно электронные и дырочные токи.
Если p-n - переход получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник, то переход от n - к р - области происходит скачком ( резкий переход ). Если используется диффузия примесей, то образуется плавный переход.
Ёмкость p-n -перехода — это ёмкости объёмных зарядов, накопленных в полупроводниках на p-n -переходе и за его пределами. Ёмкость p-n -перехода нелинейна — она зависит от полярности и значения внешнего напряжения, приложенного к переходу.
Прямое напряжение Uпр создает в p-n переходе внешнее электрическое поле, направленное навстречу его собственному полю. Напряженность суммарного поля в запирающем слое уменьшается, и уровни Ферми в полупроводнике смещаются таким образом, что потенциальный барьер уменьшается до значения Uк − Uпр.
Ёмкость Ёмкость p-n-перехода — это ёмкости объёмных зарядов, накопленных в полупроводниках на p-n-переходе и за его пределами. Ёмкость p-n-перехода нелинейна — она зависит от полярности и значения внешнего напряжения, приложенного к переходу. Различают два вида ёмкостей p-n-перехода: барьерная и диффузионная.
Электрическое поле в p-n–переходе способствует переходу неосновных носителей заряда в соседнюю область. Электроны в р-области и дырки в n-области, приблизившись к границе двух полупроводников, захватываются электрическим полем и попадают в другую область. При этом возникает дрейфовый ток Io = Iop + Ion.
Ток диффузии обусловлен движением основных носителей, а ток дрейфа – неосновных. Полный ток через P-N-переход равен сумме диффузионного и дрейфового токов. P-N –переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает.
Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контакта двух областей полупроводников акцепторного и донорного типов (см. рис.
Итак, электронно-дырочный переход — переход между двумя областями полупроводников, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая — р-типа.
Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении. (свойство односторонней проводимости). p-n- ...
Прямое включение pn-перехода образуется когда положительный полюс источника питания подключается к р-области, а отрицательный полюс — к n-области.
Напряжение, приложенное к p-n переходу, называется прямым, если оно приложено «плюсом» к p-области и минусом к n-области, обратным наоборот.
Электронно-дырочный переход. Диод p-n переход. Электронно-дырочный переход - это область, которая разделяет поверхности электронной и дырочной проводимости в ...
Электронно–дырочный переход (p-n–переход). Категория: Твердое тело. 1. При контакте двух полупроводников и –типа проводимости концентрация электронов и ...
Таким образом, в запирающем слое возникает электрическое поле с напряжённостью , силовые линии которого направлены от n к p, а значит, и контактная разность ...
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на использовании p-n-перехода. Физически это приконтактный слой толщиною в несколько микрон ...